学术论文

      SiO2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响

      Reaction of the SiO2/Ta Interface and its Influence on Cu Diffusion

      摘要:
      利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta薄膜,采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处有更稳定的化合物新相Ta5Si3和Ta2O3生成.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.
      作者: 龙世兵 [1] 马纪东 [1] 于广华 [1] 赵洪辰 [1] 朱逢吾 [1] 张国海 [2] 夏洋 [2]
      作者单位: 北京科技大学材料物理系,北京,100083 中国科学院微电子中心,北京,100029
      刊 名: 北京科技大学学报 ISTICEIPKU
      年,卷(期): 2003, 25(1)
      分类号: TB383
      机标分类号: X51 U44
      在线出版日期: 2004年1月8日
      基金项目: 国家自然科学基金