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SiO2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响

Reaction of the SiO2/Ta Interface and its Influence on Cu Diffusion

摘要：

利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta薄膜,采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处有更稳定的化合物新相Ta5Si3和Ta2O3生成.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.

doi： 10.3321/j.issn:1001-053X.2003.01.010

作者：龙世兵 ^[1] 马纪东 ^[1] 于广华 ^[1] 赵洪辰 ^[1] 朱逢吾 ^[1] 张国海 ^[2] 夏洋 ^[2]

作者单位：北京科技大学材料物理系,北京,100083 中国科学院微电子中心,北京,100029

刊名：北京科技大学学报 ISTICEIPKU

Journal： JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY BEIJING

年，卷(期)： 2003, 25(1)

分类号： TB383

关键词： Cu互连

知识脉络

扩散阻挡层

知识脉络

知识脉络

X射线光电子能谱

知识脉络

机标分类号： X51 U44

在线出版日期： 2004年1月8日

基金项目：国家自然科学基金