学术论文

      基质掺杂离子对(Y,Rn)2O2S:Sm3+,Ti4+,Mg2+(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料余辉性能的影响

      Effect of host-doping ions on the afterglow property of (Y, Rn)2O2S:Sm3+, Ti4 +, Mg2+ (Rn = La, Gd, Lu, Ga, Al) red phosphors

      摘要:
      采用高温固相法制备了基质掺杂的(Y,Rn)2O2S:Sm3+,Ti4+,Mg2+(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料,主峰均为4G5/2→6H7/2跃迁的红橙色光发射,不受基质掺杂的影响.余辉性能测试表明掺杂离子半径对余辉性能具有重要的影响:单掺时,与Y3+半径相近并略小时样品的余辉时间有正增长;双离子共掺时均为小半径的掺杂对余辉性能有显著的提高,其中之一半径较大时即具有负效应.并对可能存在的机理进行了初步探讨.
      Author: ZHANG Ludan WANG Mingwen LIU Shixiang ZHANG Feifei LI Wenjun
      作者单位: 北京科技大学应用科学学院,北京,100083
      刊 名: 北京科技大学学报 ISTICEIPKU
      年,卷(期): 2008, 30(1)
      分类号: TN104.3 O482.3
      机标分类号: TN1 TQ1
      在线出版日期: 2008年4月14日
      基金项目: 北京科技大学校科研和教改项目